Funktion im Ökosystem

• Materialien und Wafer
• Test-/Messequipment
• Foundry Zugang
• Packaging & Assembly
• Reliability & Failure Analysis

Profil

Das Fraunhofer IAF entwickelt Hochfrequenzelektronik auf Basis der Verbindungshalbleiter InGaAs und GaN für Frequenzen bis 1 THz. Anwendungen sind 5G/6G, Radar, Satellitenkommunikation und hochpräzise Mikrowellenradiometer. Extrem rauscharme InGaAs-mHEMT-Verstärker für Kryotemperaturen eignen sich für Quantencomputing und Radioastronomie. Mit 50-nm-Gates und Grenzfrequenzen bis 1 THz erreichen sie niedrigste Rauschzahlen bei kaum messbarer Erwärmung bei -270 °C.
Für steigende Datenmengen entwickelt das IAF robuste, effiziente GaN-Komponenten für Kommunikations-, Radar-, Prüf- und Messsysteme. Das Angebot umfasst Design, Materialwachstum, Prozessierung, Charakterisierung sowie Module und Subsysteme. Die Prozessfamilie GaN50X–GaN07 mit Gate-Längen von 500 bis 70 nm ermöglicht MMICs bis 200 GHz und höchste Leistungen bis 10 GHz, auch für die Pilotfertigung. Sie kommen als rauscharme Verstärker, Leistungsverstärker und Front-End-Module zum Einsatz.

Technologien

• GaN
• Power Electronics
• RF / Hochfrequenz

Zertifikate

ISO 9001